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軌道蝕刻技術(shù)基礎(chǔ)介紹

更新時間:2023-05-22      點擊次數(shù):957

聚合物原料薄膜的發(fā)束

重離子由離子源產(chǎn)生,然后由回旋加速器加速至高達(dá)4 MeV/uma的能量。

對于光束,聚合物薄膜在真空下通過掃描離子束以恒定速度解繞;因此,軌跡密度(或所需的孔密度)由離子束強(qiáng)度和薄膜速度精確定義。

薄膜被拉過彎曲輥以增加軌道的角度展開,從而通過避免平行的雙軌道來提高膜過濾器的選擇性。

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束狀聚合物薄膜的化學(xué)蝕刻

在光束過程中產(chǎn)生的線性軌跡主要以大分子鏈斷裂、高度親水化學(xué)基團(tuán)和自由真空為特征。

因此,軌道比周圍的本體聚合物對化學(xué)物質(zhì)更敏感,并且可以選擇性地蝕刻,導(dǎo)致它們暴露在孔隙中。

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化學(xué)蝕刻通常使用濃度和溫度控制良好的堿性水溶液進(jìn)行。 它的主要特點是軌道蝕刻速率(Vt)和體蝕刻速率(Vg). 高比率Vt/Vg 需要獲得具有圓柱形孔的均勻膜過濾器。

孔徑由蝕刻條件定義,而孔密度由光束參數(shù)定義。 因此,孔徑和孔密度可以獨(dú)立選擇。


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